WEKO3
アイテム
表面再構成制御成長法におけるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用
https://doi.org/10.15099/00006880
https://doi.org/10.15099/00006880bfed7571-a173-499a-ae95-353da4d38278
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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VBL_H20_01-21_Page040to043.pdf (490.4 kB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||
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公開日 | 2015-02-24 | |||||||
タイトル | ||||||||
タイトル | 表面再構成制御成長法におけるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用 | |||||||
言語 | ||||||||
言語 | jpn | |||||||
資源タイプ | ||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||
ID登録 | ||||||||
ID登録 | 10.15099/00006880 | |||||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||||
著者 |
前澤, 宏一
× 前澤, 宏一
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著者別名 | ||||||||
姓名 | Maezawa, Koichi | |||||||
引用 | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | 富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報, 平成20年度, 2008, Page 40-43 | |||||||
書誌情報 |
富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report 巻 20, p. 40-43, 発行日 2008 |
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フォーマット | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | application/pdf | |||||||
著者版フラグ | ||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
出版者 | ||||||||
出版者 | 富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | |||||||
資源タイプ(DSpace) | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | Article |