WEKO3
アイテム
表面再構成制御成長法におけるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用
https://doi.org/10.15099/00006880
https://doi.org/10.15099/00006880bfed7571-a173-499a-ae95-353da4d38278
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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VBL_H20_01-21_Page040to043.pdf (490.4 kB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2015-02-24 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 表面再構成制御成長法におけるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.15099/00006880 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
著者 |
前澤, 宏一
× 前澤, 宏一 |
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著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 23563 | |||||
識別子Scheme | CiNii ID | |||||
識別子URI | http://ci.nii.ac.jp/nrid/1000090301217 | |||||
識別子 | 1000090301217 | |||||
識別子Scheme | e-Rad | |||||
識別子URI | https://nrid.nii.ac.jp/nrid/1000090301217 | |||||
識別子 | 90301217 | |||||
姓名 | Maezawa, Koichi | |||||
引用 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報, 平成20年度, 2008, Page 40-43 | |||||
書誌情報 |
富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report 巻 20, p. 40-43, 発行日 2008 |
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フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | |||||
資源タイプ(DSpace) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | Article |