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アイテム
表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)
https://doi.org/10.15099/00006834
https://doi.org/10.15099/00006834ee9c2752-24f3-4699-972b-e9abf556c6cc
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||
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公開日 | 2015-05-18 | |||||||
タイトル | ||||||||
タイトル | 表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告) | |||||||
言語 | ||||||||
言語 | jpn | |||||||
資源タイプ | ||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||
ID登録 | ||||||||
ID登録 | 10.15099/00006834 | |||||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||||
著者 |
前澤, 宏一
× 前澤, 宏一
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著者別名 | ||||||||
姓名 | Maezawa, Koichi | |||||||
内容記述 | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | この論文は国立情報学研究所の学術雑誌公開支援事業により電子化されました | |||||||
引用 | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | 富山大学ベンチャービジネスラボラトリー年報, 平成19年度, 2007, Page 42-45 | |||||||
書誌情報 |
富山大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 = University of Toyama, Venture Business Laboratory VBL annual report 巻 19, p. 42-45, 発行日 2007 |
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書誌レコードID | ||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
収録物識別子 | AA12057259 | |||||||
フォーマット | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | application/pdf | |||||||
著者版フラグ | ||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
出版者 | ||||||||
出版者 | 富山大学ベンチャービジネスラボラトリー | |||||||
資源タイプ(DSpace) | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | Article |