WEKO3
アイテム
表面再構成制御成長法を用いたSi基板上InSb系超高速デバイスの作製と評価II
https://doi.org/10.15099/00015778
https://doi.org/10.15099/00015778a68705b7-0887-45ee-9403-cfa948fe535d
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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VBL_H23_01-16_Page037to040.pdf (780.0 kB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||
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公開日 | 2016-07-27 | |||||||
タイトル | ||||||||
タイトル | 表面再構成制御成長法を用いたSi基板上InSb系超高速デバイスの作製と評価II | |||||||
言語 | ||||||||
言語 | jpn | |||||||
資源タイプ | ||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||
ID登録 | ||||||||
ID登録 | 10.15099/00015778 | |||||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||||
著者 |
前澤, 宏一
× 前澤, 宏一
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著者別名 | ||||||||
姓名 | Maezawa, Koichi | |||||||
引用 | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | 富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報, 平成23年度, 2011, Page 37-40 | |||||||
書誌情報 |
富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report 巻 23, p. 37-40, 発行日 2011 |
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書誌レコードID | ||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
収録物識別子 | AA12707092 | |||||||
フォーマット | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | application/pdf | |||||||
著者版フラグ | ||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
出版者 | ||||||||
出版者 | 富山大学地域連携推進機構産学連携部門 | |||||||
資源タイプ(DSpace) | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | Article |