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GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電気的,光学的特性
https://doi.org/10.15099/00004179
https://doi.org/10.15099/00004179cb953904-4892-4cc1-b357-29fa5edbdff2
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
Kokiyo_27_01_Page036to042.pdf (3.6 MB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2012-09-28 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電気的,光学的特性 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | GaSe-SnO_2ヘテロ接合 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 電気的,光学的特性 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 発光機構 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 電流輸送機構 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 電界発光 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 光起電力効果 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 電気的性質 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 光学的性質 | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.15099/00004179 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
著者 |
龍山, 智栄
× 龍山, 智栄× 市村, 昭二 |
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著者別名 | ||||||
姓名 | TATSUYAMA, Chiei | |||||
著者別名 | ||||||
姓名 | ICHIMURA, Shoji | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Electrical and Optical properties of GaSe-SnO_2 Heterojunctions | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Capacitance-voltage (C-V) characteristics, current-voltage (I-V) characteristics, electroluminescence (E.L) and photovoltaic effect (I_<ph>) of GaSe-SnO_2 heterojunction diodes are measured. SnO_2 layer is deposited on the c-plane of GaSe by spray method. C-V characteristics of these diodes reveal that the high resistivity layer whose width is about 2.6 μm is formed. The origin of the high resistivity layer is probably due to the diffusion of Sn into GaSe. Forward I-V characteristics show the current transport mechanism at low voltage is space-charge-limited-current. The trap density and the energy level of the trap from the valence band estimated by Lampert theory are about 5x10^<13> -- 1x10^<14> cm^<-3> and 0.4 -- 0.6 eV, respectively. E.L spectra at 275 K show only one emission band due to free exciton recombination. On the otherhand, E.L spectra at 4.2 K show many fine structures, and they are assigned to be due to bound excitons and its L.O. phonon replicas. |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | III-VI族半導体GaSeはマイカ状の層状構造をしている。 そのため電気的,光学的特性の異方性,特にエネルギー面の2次元性に興味が持たれ,多くの研究者によって実験的,理論的に研究されて来た。 しかし,この結晶のエネルギー面は,その結晶構造の特異性にもかかわらず,やはり3次元的であることが最近明らかにされた。 一方,GaSeの低温における発光スペクトルは多数の微細構造を示すが,その発光機構については末だ議論が多い。 我々は,GaSeの発光機構を調べるため,GaSe-SnO_2ヘテロ接合を用いている。 GaSeの禁制帯幅は,室温で2.03eVであるが,沃素を用いて閉管法で成長させた場合以外は常にp型である。 又,SnO_2は3.5eVと広い禁制帯幅を持つn型半導体である。 従って,GaSe-SnO_2接合をつくれば,p-nヘテロ接合となり,SnO_2からGaSeへの電子の注入が容易になると考えられる。 SnO_2はスプレー法でGaSeのc面上に形成される。 GaSeの裏面はInでオーミック電極をつける。 この構造は,GaSeの同じc面上に2つの電極をつける従来の構造と比較して,かなり低電圧で発光するので,GaSeの発光機構を調べる上で有利である。 本稿では,GaSe-SnO_2ヘテロ接合の作成と,その容量―電圧(C-V)特性,電流―電圧(I-V)特性,電界発光,光起電力効果の実験結果を報告し,電流輸送機構,発光機構について考察する。 |
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引用 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 富山大学工学部紀要,27 | |||||
書誌情報 |
富山大学工学部紀要 巻 27, p. 36-42, 発行日 1976-03 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 03871339 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00175872 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
国立国会図書館分類 | ||||||
主題Scheme | NDLC | |||||
主題 | ZM2 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 富山大学工学部 | |||||
資源タイプ(DSpace) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | Article |