@article{oai:toyama.repo.nii.ac.jp:00004185,
 author = {龍山, 智栄 and 市村, 昭二},
 journal = {富山大学工学部紀要},
 month = {Mar},
 note = {Capacitance-voltage (C-V) characteristics, current-voltage (I-V) characteristics, electroluminescence (E.L) and photovoltaic effect (I_<ph>) of GaSe-SnO_2 heterojunction diodes are measured.
SnO_2 layer is deposited on the c-plane of GaSe by spray method. C-V characteristics of these diodes reveal that the high resistivity layer whose width is about 2.6 μm is formed. The origin of the high resistivity layer is probably due to the diffusion of Sn into GaSe.
Forward I-V characteristics show the current transport mechanism at low voltage is space-charge-limited-current. The trap density and the energy level of the trap from the valence band estimated by Lampert theory are about 5x10^<13> -- 1x10^<14> cm^<-3> and 0.4 -- 0.6 eV, respectively. E.L spectra at 275 K show only one emission band due to free exciton recombination. On the otherhand, E.L spectra at 4.2 K show many fine structures, and they are assigned to be due to bound excitons and its L.O. phonon replicas., III-VI族半導体GaSeはマイカ状の層状構造をしている。
そのため電気的，光学的特性の異方性，特にエネルギー面の2次元性に興味が持たれ，多くの研究者によって実験的，理論的に研究されて来た。
しかし，この結晶のエネルギー面は，その結晶構造の特異性にもかかわらず，やはり3次元的であることが最近明らかにされた。
一方，GaSeの低温における発光スペクトルは多数の微細構造を示すが，その発光機構については末だ議論が多い。
我々は，GaSeの発光機構を調べるため，GaSe-SnO_2ヘテロ接合を用いている。
GaSeの禁制帯幅は，室温で2.03eVであるが，沃素を用いて閉管法で成長させた場合以外は常にp型である。
又，SnO_2は3.5eVと広い禁制帯幅を持つn型半導体である。
従って，GaSe-SnO_2接合をつくれば，p-nヘテロ接合となり，SnO_2からGaSeへの電子の注入が容易になると考えられる。
SnO_2はスプレー法でGaSeのc面上に形成される。
GaSeの裏面はInでオーミック電極をつける。
この構造は，GaSeの同じc面上に2つの電極をつける従来の構造と比較して，かなり低電圧で発光するので，GaSeの発光機構を調べる上で有利である。
本稿では，GaSe-SnO_2ヘテロ接合の作成と，その容量―電圧(C-V)特性，電流―電圧(I-V)特性，電界発光，光起電力効果の実験結果を報告し，電流輸送機構，発光機構について考察する。, Article, 富山大学工学部紀要，27},
 pages = {36--42},
 title = {GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電気的,光学的特性},
 volume = {27},
 year = {1976}
}