WEKO3
アイテム
表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用
https://doi.org/10.15099/00006897
https://doi.org/10.15099/00006897aa4eb31f-7803-4317-afc0-cbf87b7f8af6
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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VBL_H20_01-38_Page084to085.pdf (190.7 kB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
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公開日 | 2015-02-24 | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | 表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用 | |||||||||
言語 | ||||||||||
言語 | jpn | |||||||||
資源タイプ | ||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
ID登録 | ||||||||||
ID登録 | 10.15099/00006897 | |||||||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
著者 |
前澤, 宏一
× 前澤, 宏一
× 斉藤, 光史
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著者別名 | ||||||||||
姓名 | Maezawa, Koichi | |||||||||
著者別名 | ||||||||||
姓名 | Saito, Mitsuhumi | |||||||||
引用 | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | 富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報, 平成20年度, 2008, Page 84-85 | |||||||||
書誌情報 |
富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report 巻 20, p. 84-85, 発行日 2008 |
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フォーマット | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | application/pdf | |||||||||
著者版フラグ | ||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
出版者 | ||||||||||
出版者 | 富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | |||||||||
資源タイプ(DSpace) | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | Article |