@article{oai:toyama.repo.nii.ac.jp:00006856,
 author = {前澤, 宏一 and 斉藤, 光史},
 journal = {富山大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 = University of Toyama, Venture Business Laboratory VBL annual report},
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 note = {application/pdf, Article, この論文は国立情報学研究所の学術雑誌公開支援事業により電子化されました, 富山大学ベンチャービジネスラボラトリー年報, 平成19年度, 2007, Page 83-84},
 pages = {83--84},
 title = {表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(研究員報告)},
 volume = {19},
 year = {2007}
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