@article{oai:toyama.repo.nii.ac.jp:00004186,
 author = {田地, 新一 and 龍山, 智栄 and 市村, 昭二},
 journal = {富山大学工学部紀要},
 month = {Mar},
 note = {The epitaxial growth of GaN by employing a technique previously reported of vapor phase reaction between GaCl and NH_3 in an Ar carrier gas ambient is described. Single crystal layers 10--100 μm thick and -- 0. 5 cm^2 in area, were obtained on (0001) oriented sapphire substrate at deposition temperature about 1045 ℃
The best undoped layers obtained had carner concentration of 2--7 X 10^<18> cm^<-3> and electron mobility about 90 cm^2/V sec., III-V化合物GaN（窒化ガリウム）は，直接選移形のエネルギーバンド構造を有し，その結晶構造はウルツ鉱形で六方晶系に属する。
その禁制帯幅は室温で約3.4eVであり，光学的基礎吸収端が3650Åの近紫外部にある。
この大きな禁制帯幅のため，種々の応用が考えられている。
既に今日までに，不純物（主としてII-B族元素Zn，Mg等）を添加し，絶縁体としたGaNと，undopedのn形GaNによるi-n形ダイオードで，青色・緑色・黄色・赤色の発光が報告されている。
特にZnを添加したものからは最高パワー効率0.1%が得られている。
しかし，現在までに得られたundoped GaNは常にn形を示し，その自由電子濃度も10^17cm^{-3}以上と高く，又p形結晶はまだ確認されていない。
ドナーの原因としては，窒素の空格子点が考えられている。
我々は，高効率青色発光素予の材料としてGaNを取り上げ，その結晶成長を試みている。
本論文には，我々の行ったundoped GaNの作成とその電気的性質について報告する。, Article, 富山大学工学部紀要，27},
 pages = {43--47},
 title = {GaNの結晶成長とその電気的性質},
 volume = {27},
 year = {1976}
}