@article{oai:toyama.repo.nii.ac.jp:00004087,
 author = {近藤, 正男 and 中谷, 訓幸},
 journal = {富山大学工学部紀要},
 month = {Mar},
 note = {The structure of silicon crystals grown form the carrier was (argon) with SiCl_4 reacting with Zn below 900℃, has been studied with the 120KV electron microscope. With form of crystals is fibrous with rough-edges, needles or ribbons growing in <211> direction, the surfaces of which are {111}. Along the growing direction, we recognized the dislocation., 珪素はそのハロゲン化物の熱分解，水素叉はZn等の金属による還元によってその結晶を生ずる。
ZnガスによってSiCl_4が還元されてSi結晶を生ずる反応はDu Pont法としてよく知られているが，Znガスが他の不活性ガスによってうすめられるとSiは繊維状に生ずる。
E.R.JohnsonとJ.A.Amickはこの方法で表面の凹凸のばげしいwhiskerを得て，それが<111>方向にのびていることを報告している。
又R.S.WangerらはSiI_2の熱分解によって3種の形状の結晶を得ている。
それは多くの双晶を合む塊状又はフィルム状の多結晶体，ミクロンサイズの<111>にのびた針状結晶，{111}の双晶面をもち<211>方向にのびたリボン状結晶，であった。
前者はScrew dislocationによって成長するメカニズムを考えているがそのdislocationを確認できなかったし，後者は不純物がSiの融点を下げ，その飽和溶液から液―固境界に次々にSiが析出して成長するメカ二ズムを考えた。
現在繊維状結晶の成長機構はその他にM.VolmerとA.Weber(1925)，W.Kossel(1930)，R.BeekerとW.Doring(1935)の提唱するような「完全結晶表面上に階段を持った新らしい原子層が次々に核形成をしながら成長する2次元核形成理論」がある上記のようなScrew dislocationによる成長理論を考えている場合の一番の難点は，その転位を実験的に検出した例が少いということである。
これはScrew dislocationによって成長が始まっても，結晶が成長している間に転位が上昇運動等によって移動して外部へ出てしまうのではないかと考えられる。
よって筆者等は低温短時間で織維状結晶を生成させ，その転位その他を電子顕微鏡でしらベた。
試料はSiCl_4をZnによって還元する方法を用いたが，その結果E.R.Johnson等の得た表面凹凸のはげしいwhiskerの他に外部が単純に見えるリボン状又は針状の結晶を得た。
これらはR.S.Wagner等の得たものと形状は似ているが多くの点で異なるので，これらを電子顕微鏡でしらベた結果を簡単に報告する。, Article, 富山大学工学部紀要，22},
 pages = {143--148},
 title = {気相成長によるシリコン結晶について},
 volume = {22},
 year = {1971}
}