@article{oai:toyama.repo.nii.ac.jp:00004005,
 author = {八木, 寛 and 亀田, 悦正 and 田中, 宣四},
 issue = {1/2},
 journal = {富山大学工学部紀要},
 month = {Mar},
 note = {There are many reports on the resistivity of semiconductor with infinite scale. However, in the measurement of semiconductor resistivity, we must use the definite things. In this case, we must find the improving formula considered the definite scale. This paper discusses the potential difference on the definite semiconductor surface between four probes by using electric image methode., 半導体の電気伝導度を測定するのには，種々の測定方法が考案されている。
けれども，そのうちで代表的なものといえば四探針法であろう。
四探針法とは4本のプローブを半導体の表面に一列にならべて接触させ，外側の2本のプローブに電流を流出入させ，内側の2本のプローブの電位差を測ることによって，半導体の電気伝導度を知るという方法である。
四探針法は試料が無限に大きいということを仮定にして測定をする。
しかし，実際の試料の大きさには制限があるので，何らかの補正を施す必要がある。
四探針法の補正に関する研究は，これまで大別して，二通りの方法，すなわちValdesによる球座標を用いたものとOllendorff，Smits Loganによる2次元極座標を用いたものなどがある。
試料の厚みが大のときは前者，薄いときは後者が用いられる。
しかし，試料の六面がすべて有限である場合の考察はなされていない。
筆者らは影像法を用いて，このように三方すべてが有限長をもつ場合の補正計算をおこなったので報告する。, Article, 富山大学工学部紀要，19(1/2)},
 pages = {27--32},
 title = {有限な形状をもつ半導体試料の伝導度補正係数について},
 volume = {19},
 year = {1968}
}