WEKO3
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GaNの結晶成長とその電気的性質
https://doi.org/10.15099/00004180
https://doi.org/10.15099/00004180b9cce3b7-280e-4f44-9d6c-3e6b8e50fe87
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
Kokiyo_27_01_Page043to047.pdf (3.6 MB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2012-09-28 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | GaNの結晶成長とその電気的性質 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | GaN | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 結晶成長 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 電気的性質 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 高効率青色発光素子 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | undoped GaN | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.15099/00004180 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
著者 |
田地, 新一
× 田地, 新一× 龍山, 智栄× 市村, 昭二 |
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著者別名 | ||||||
姓名 | TACHI, Shin-ichi | |||||
著者別名 | ||||||
姓名 | TATSUYAMA, Chiei | |||||
著者別名 | ||||||
姓名 | ICHIMURA, Shoji | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Crystal Growth and Electrical Properties of GaN | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | The epitaxial growth of GaN by employing a technique previously reported of vapor phase reaction between GaCl and NH_3 in an Ar carrier gas ambient is described. Single crystal layers 10--100 μm thick and -- 0. 5 cm^2 in area, were obtained on (0001) oriented sapphire substrate at deposition temperature about 1045 ℃ The best undoped layers obtained had carner concentration of 2--7 X 10^<18> cm^<-3> and electron mobility about 90 cm^2/V sec. |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | III-V化合物GaN(窒化ガリウム)は,直接選移形のエネルギーバンド構造を有し,その結晶構造はウルツ鉱形で六方晶系に属する。 その禁制帯幅は室温で約3.4eVであり,光学的基礎吸収端が3650Åの近紫外部にある。 この大きな禁制帯幅のため,種々の応用が考えられている。 既に今日までに,不純物(主としてII-B族元素Zn,Mg等)を添加し,絶縁体としたGaNと,undopedのn形GaNによるi-n形ダイオードで,青色・緑色・黄色・赤色の発光が報告されている。 特にZnを添加したものからは最高パワー効率0.1%が得られている。 しかし,現在までに得られたundoped GaNは常にn形を示し,その自由電子濃度も10^17cm^{-3}以上と高く,又p形結晶はまだ確認されていない。 ドナーの原因としては,窒素の空格子点が考えられている。 我々は,高効率青色発光素予の材料としてGaNを取り上げ,その結晶成長を試みている。 本論文には,我々の行ったundoped GaNの作成とその電気的性質について報告する。 |
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引用 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 富山大学工学部紀要,27 | |||||
書誌情報 |
富山大学工学部紀要 巻 27, p. 43-47, 発行日 1976-03 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 03871339 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00175872 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
国立国会図書館分類 | ||||||
主題Scheme | NDLC | |||||
主題 | ZM2 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 富山大学工学部 | |||||
資源タイプ(DSpace) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | Article |